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英諾賽科自2015年起專注于氮化鎵（GaN）芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，致力于以創(chuàng)新技術(shù)重塑行業(yè)。總部位于中國蘇州，公司通過垂直整合的IDM模式，實現(xiàn)了從襯底到器件的全鏈條技術(shù)突破，加速了氮化鎵的應(yīng)用。

IDM模式集設(shè)計、制造、封測于一體，使英諾賽科能夠掌控氮化鎵芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，快速響應(yīng)市場需求，保持技術(shù)領(lǐng)先。公司掌握全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)技術(shù)，產(chǎn)品具備高頻、高效、高可靠性等優(yōu)勢，性能較傳統(tǒng)硅基器件大幅提升，功耗顯著降低。

通過持續(xù)創(chuàng)新，英諾賽科突破了大尺寸晶圓良率瓶頸，降低了氮化鎵芯片成本，加速了其在消費電子、新能源、汽車電子等領(lǐng)域的普及。從智能手機快充到新能源汽車逆變器，氮化鎵技術(shù)正在各個領(lǐng)域展現(xiàn)優(yōu)勢。在新能源車市場，氮化鎵功率模塊助力800V高壓平臺實現(xiàn)快速充電。在光伏儲能領(lǐng)域，器件助力系統(tǒng)效率突破新高。

憑借卓越技術(shù)和產(chǎn)品，英諾賽科贏得了全球客戶的認可，累計出貨數(shù)億顆芯片，客戶覆蓋全球頭部企業(yè)。公司正與全球合作伙伴攜手，推動氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用，構(gòu)建更高效、節(jié)能、智能的未來。