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INN900TK350B 是一款高性能的900V額定電壓增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率晶體管，采用行業(yè)廣泛應(yīng)用的TO-252（DPAK）表面貼裝封裝，便于集成和散熱。作為一款增強(qiáng)型器件，其核心特性是常關(guān)（normally-off）電源開關(guān)，這意味著在無柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)器件保持關(guān)斷狀態(tài)，簡化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)并提升了系統(tǒng)的固有安全性。

該GaN晶體管的關(guān)鍵優(yōu)勢在于其卓越的動(dòng)態(tài)性能和高電壓能力。它能夠支持超高的開關(guān)頻率運(yùn)行，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基MOSFET，使得設(shè)計(jì)者能夠采用更小的電感、電容等無源元件，從而顯著提升電源的功率密度和緊湊性。得益于GaN材料的物理特性，INN900TK350B實(shí)現(xiàn)了零反向恢復(fù)損耗（無反向恢復(fù)電荷），極大地降低了開關(guān)過程中的能量損失，尤其在硬開關(guān)拓?fù)渲行蕛?yōu)勢更為顯著。同時(shí)，其低柵極電荷（Qg）和低輸出電荷（Qoss）特性進(jìn)一步減少了驅(qū)動(dòng)功耗和開關(guān)時(shí)間，有助于實(shí)現(xiàn)更快、更高效的能量轉(zhuǎn)換。

該器件符合JEDEC工業(yè)應(yīng)用資格標(biāo)準(zhǔn)，并內(nèi)置ESD保護(hù)，確保了在各種工業(yè)環(huán)境下的可靠性和耐用性。同時(shí)，它完全滿足RoHS、無鉛（Pb-free）和REACH等環(huán)保法規(guī)要求。

基于其高電壓、高效率和高頻特性，INN900TK350B特別適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用市場，是構(gòu)建高效、高功率密度快速充電器中AHB、LLC、ACF以及QR反激式DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇。此外，其高達(dá)900V的耐壓能力使其在優(yōu)化電源設(shè)計(jì)以應(yīng)對(duì)電網(wǎng)電壓波動(dòng)或存在高壓瞬變風(fēng)險(xiǎn)的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。

INN900TK350B_Datasheet_Rev. 1.1.pdf